參數(shù)資料
型號(hào)： μPD42S65405
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16,777,216 Words by 4 Bits CMOS Dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 16,777,216詞由4位的CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（RAM的6400動(dòng)態(tài)）
文件頁數(shù)： 24/36頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： ΜPD42S65405
μ
PD4264405, 42S65405, 4265405
24
Hyper Page Mode (EDO) Late Write Cycle
CAS
V
IH–
V
IL–
t
CPN
t
CP
t
CP
t
CSH
t
HCAS
t
RCD
RAS
V
IH–
V
IL–
t
RASP
t
RP
t
CRP
t
HPC
t
RSH
t
HCAS
t
RHCP
t
HCAS
Row
Col.
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
ASC
t
CAH
t
ASC
Col.
t
CAH
t
ASC
Col.
t
CAH
t
RAL
Address
V
IH–
V
IL–
WE
V
IH–
V
IL–
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
RCS
t
CWL
t
RWL
t
WP
OE
V
IH–
V
IL–
t
OEH
t
OEH
t
OEH
I/O
V
IH–
V
IL–
t
OED
t
DS
t
DH
Hi-Z
Data in
t
OED
t
DS
t
DH
Data in
Hi-Z
t
OED
t
DS
t
DH
Data in
Hi-Z
Remark
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of the
consecutive CAS cycles within the same RAS cycle.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4264405 16,777,216 Words by 4 Bits CMOS Dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4265405 16,777,216 Words by 4 Bits CMOS Dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S65805 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4264805 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PD4306 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (600 Amperes / Up to 2400 Volts)
PD430607 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
PD4307 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (700 Amperes / Up to 1800 Volts)
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