參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTDBM832
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商： ZXTDBM832
ZXTDBM832
ISSUE 1 - JUNE 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
40
100
V
I
C
=100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
20
27
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
7.5
8.2
V
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=16V
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=2A, I
B
=50mA*
I
C
=3A, I
B
=100mA*
I
C
=4.5A, I
B
=125mA*
I
C
=4.5A, I
B
=125mA*
I
C
=4.5A, V
CE
=2V*
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=0.2A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=6A, V
CE
=2V*
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Collector Cut-Off Current
25
nA
Emitter Cut-Off Current
25
nA
Collector Emitter Cut-Off Current
25
nA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
8
90
115
190
210
15
150
135
250
270
mV
mV
mV
mV
mV
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
0.98
1.05
V
Base-Emitter Turn-On Voltage
0.88
0.95
V
Static Forward Current Transfer
Ratio
200
300
200
100
400
450
360
180
Transition Frequency
f
T
100
140
MHz
Output Capacitance
C
obo
t
(on)
t
(off)
23
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CC
=10V, I
C
=3A
I
B1
=I
B2
=10mA
Turn-On Time
170
ns
Turn-Off Time
400
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTDBM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDBM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDCM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTDCM832
ZXTDCM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTDBM832TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V NPN 3X2 MLP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTDBM832TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDC3M832 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPS Miniature Package Power Solutions DUAL 50V NPN & 40V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR COMBINATION
ZXTDC3M832TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V NPN / 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTDCM832 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPS Miniature Package Power Solutions DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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