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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XP1117 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | XP1117 |
XP01110
2
SJJ00122BED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
IN
I
O
0
160
40
120
80
0
250
100
200
50
150
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
0.2 V
T
a
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP01118 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP1118 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP0111F | Composite Device - Composite Transistors |
| XP111F | Composite Device - Composite Transistors |
| XP0111H | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XP1118 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP1119 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP111F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| XP111H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP11201 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述: |
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