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參數資料
| 型號： | XP04601(XP4601) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | XP04601(XP4601) |
Composite Transistors
XP04601
(XP4601)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: February 2004
SJJ00187BED
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SD0601A (2SD601A)
+
2SB0709A (2SB709A)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 5C
Internal Connection
Tr1
Tr2
1
2
3
4
6
5
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
60
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
100
mA
Peak collector current
200
60
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
100
200
mA
Peak collector current
I
CP
P
T
mA
Overall
Total power dissipation
150
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Unit: mm
5
10
2
±
0
1
±
0
1
3
2
0.2
±
0.05
0.12
+0.05
0
±
0
(
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
0
0
±
0
0
+
–
6
5
4
(0.65) (0.65)
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
EIAJ: SC-88
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP04654(XP4654) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP04683(XP4683) | Composite Device - Composite Transistors |
| XP05501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP5501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP05553 | Composite Device - Composite Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| XP04654 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
| XP04654(XP4654) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP0465400L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| XP04683 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 20V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-363 |
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