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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN04556 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | XN04556 |
XN04503
2
SJJ00077BED
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
0
0
2.0
0.4
0.8
1.6
1.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
20 mA
12 mA
10 mA
8 mA
6 mA
4 mA
2 mA
114 mA
18 mA
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
B
B
Collector current I
C
(A)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
0
600
500
400
300
200
100
0.1
1
10
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=
2 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
240
200
160
120
40
1
10
100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
f
=
100 MHz
T
a
=
25
°
C
1
0
24
20
16
12
8
4
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN4556 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04502(XN4502) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04506 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-74 |
| XN04506(XN4506) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04509(XN4509) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04556(XN4556) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors |
| XN04601 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor For general amplification |
| XN04601(XN4601) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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