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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN02501(XN2501) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | XN02501(XN2501) |
XN02501
2
SJJ00042BED
I
B
V
BE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
P
T
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
h
FE
I
C
f
T
I
E
NV
I
C
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Base current I
B
(mA)
240
200
160
120
80
40
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Base-emitter voltage V
BE
(V)
B
B
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
1
600
500
400
300
200
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
300
240
180
120
60
T
T
Emitter current I
E
(mA)
10
1
–1
–10
–10
2
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
240
200
160
120
80
40
N
Collector current I
C
(
μ
A)
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
G
V
=
80 dB
Function
=
FLAT
T
a
=
25
°
C
4.7 k
R
g
=
100 k
22 k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN02531(XN2531) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04503 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN4503 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04509 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN4509 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| XN02531(XN2531) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04110 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| XN04110(XN4110) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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