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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN01457(XN1457) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | XN01457(XN1457) |
XN01457
2
SJJ00260BED
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
C
ob
V
CB
0
160
40
120
80
0
300
200
100
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
12
10
8
2
6
4
0
400
300
100
200
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.
9 mA
0.
8 mA
0.
7 mA
0.
6 mA
0.
5 mA
0.
4 mA
0.
3 mA
0.
2 mA
0.
1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
300
200
100
V
CE
=
2 V
Base current I
B
(mA)
C
C
0
0.8
1.2
0.4
0
120
80
40
V
CE
=
2 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
1
10
100
10
3
10
1
10
2
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
C
C
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
400
300
200
100
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
2 V
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
40
10
30
20
1
100
10
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN01601 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN1601 | Composite Device - Composite Transistors |
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| XN01871 | Composite Device - Composite Transistors |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XN01504 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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