參數(shù)資料
型號: XC912BC32CFUE8
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 328/334頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MCU 16BIT 32K FLASH 80-QFP
標準包裝: 84
系列: HC12
核心處理器: CPU12
芯體尺寸: 16-位
速度: 8MHz
連通性: SCI,SPI
外圍設(shè)備: POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 63
程序存儲器容量: 32KB(32K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 768 x 8
RAM 容量: 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4.5 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 80-QFP
包裝: 托盤
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M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
Freescale Semiconductor
93
Chapter 7
EEPROM
7.1 Introduction
The MCU is electrically erasable, programmable read-only memory (EEPROM) serves as a 768-byte
non-volatile memory which can be used for frequently accessed static data or as fast access program
code.
The MCU’s EEPROM is arranged in a 16-bit configuration. The EEPROM array may be read as either
bytes, aligned words, or misaligned words. Access time is one bus cycle for byte and aligned word access
and two bus cycles for misaligned word operations.
Programming is by byte or aligned word. Attempts to program or erase misaligned words will fail. Only the
lower byte will be latched and programmed or erased. Programming and erasing of the user EEPROM
can be done in all operating modes.
Each EEPROM byte or aligned word must be erased before programming. The EEPROM module
supports byte, aligned word, row (32 bytes), or bulk erase, all using the internal charge pump. Bulk
erasure of odd and even rows is also possible in test modes; the erased state is $FF. The EEPROM
module has hardware interlocks which protect stored data from corruption by accidentally enabling the
program/erase voltage. Programming voltage is derived from the internal VDD supply with an internal
charge pump. The EEPROM has a minimum program/erase life of 10,000 cycles over the complete
operating temperature range.
7.2 EEPROM Programmer’s Model
The EEPROM module consists of two separately addressable sections. The first is a 4-byte memory
mapped control register block used for control, testing, and configuration of the EEPROM array. The
second section is the EEPROM array itself.
At reset, the 4-byte register section starts at address $00F0 and the EEPROM array is located from
addresses $0D00 to $0FFF (see Figure 7-1). For information on remapping the register block and
EEPROM address space, refer to Chapter 5 Operating Modes and Resource Mapping.
Read access to the memory array section can be enabled or disabled by the EEON control bit in the
EEPROM initialization register (INITEE). This feature allows the access of memory mapped resources
that have lower priority than the EEPROM memory array. EEPROM control registers can be accessed
and EEPROM locations may be programmed or erased regardless of the state of EEON.
Using the normal EEPROG control, it is possible to continue program/erase operations during wait. For
lowest power consumption during wait, stop program/erase by turning off EEPGM.
If the stop mode is entered during programming or erasing, program/erase voltage will be turned off
automatically and the resistor-capacitor (RC) clock (if enabled) is stopped. However, the EEPGM control
bit will remain set. When stop mode is terminated, the program/erase voltage will be turned back on
automatically if EEPGM is set.
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PDF描述
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XC912DG128ACPV 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
XC9131F05CDR-G 功能描述:IC REG BOOST SYNC ADJ 1A USP10B RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:High Efficiency Current Mode Switching Regulators CMOS LDO Regulators 特色產(chǎn)品:BD91x Series Step-Down Regulators 標準包裝:2,500 系列:- 類型:降壓(降壓) 輸出類型:兩者兼有 輸出數(shù):2 輸出電壓:3.3V,0.8 V ~ 2.5 V 輸入電壓:4.5 V ~ 5.5 V PWM 型:電流模式 頻率 - 開關(guān):1MHz 電流 - 輸出:1.5A 同步整流器:是 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:VQFN020V4040 產(chǎn)品目錄頁面:1373 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:BD9152MUV-E2TR
XC9131H05CDR-G 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述: 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述:IC BOOST REG SYNCHR USP-10B