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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XC61FN3842PR |
| 廠商： | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. |
| 英文描述： | Voltage Detectors ( Delay Circuit Built-In) |
| 中文描述： | 電壓檢測(cè)器（延遲電路內(nèi)置） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | XC61FN3842PR |
162
2
SYMBOL
RATINGS
UNITS
V
IN
12
V
I
OUT
50
mA
V
OUT
V
SS
-0.3
V
IN
+0.3
V
SS
-0.3
9
V
Continuous Total
Power Dissipation
SOT-23
Pd
150
mW
SOT-89
500
Topr
-30
+80
O
C
Tstg
-40
+125
O
C
Output Voltage
PARAMETER
Output Current
Input Voltage
Storage Temperature
Operating Ambient Temperature
CMOS
N-ch open drain
TO-92
300
μ
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
V
DF
(T)
x 0.98
V
DF
x 0.02
TYP
V
DF
(T)
MAX
V
DF
(T)
x 1.02
V
DF
x 0.08
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
10.0
UNITS
CIRCUIT
Detect Voltage
V
DF
V
Hysteresis Range
V
HYS
V
DF
x 0.05
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
V
V
IN
=1.5V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
Supply Current
I
SS
μ
A
2
1
1
Operating Voltage
V
IN
V
DF
=1.6V to 6.0V
0.7
V
1
N-ch V
DS
=0.5V
V
IN
=1.0V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
3
Output Current
I
OUT
mA
P-ch V
DS
=2.1V
V
IN
=8.0V
-10.0
4
( CMOS output )
Detect Voltage
Temperature Characteristics
Transient Delay Time
(V
DR
V
OUT
inversion)
V
DF
±
100
ppm/
°
C
-
Topr
V
DF
tDLY *
V
IN
changes from
0.6V to 10V
50
200
ms
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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