參數(shù)資料
型號(hào)： WMS128K8L-100DEME
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32
封裝： CERAMIC, SOJ-32
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： WMS128K8L-100DEME
2
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
2
SRAM
MONOLITHICS
WMS128K8-XXX
Parameter
Sym
Conditions
-70
-85
-100
-120
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
InputLeakageCurrent
ILI
VCC = 5.5, V IN = GND to V CC
10
A
OutputLeakageCurrent
ILO
CS = V IH, OE = V IH, VOUT = GND to V CC
10
A
OperatingSupplyCurrent
ICC
CS = V IL, OE = V IH, f = 5MHz, Vcc = 5.5
30
mA
StandbyCurrent
ISB
CS = V IH, OE = V IH, f = 5MHz, Vcc = 5.5
1.0
0.6
mA
OutputLowVoltage
VOL
IOL = 2.1mA, Vcc = 4.5
0.4
V
OutputHighVoltage
VOH
IOH = -1.0mA, Vcc = 4.5
2.4
V
NOTE: DC test conditions: V
IH
= V CC -0.3V, V IL= 0.3V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
TRUTH TABLE
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
OperatingT emperatur e
TA
-55
+125
°C
StorageT emperatur e
TSTG
-65
+150
°C
Signal V oltage Relative to GND
VG
-0.5
Vcc+0.5
V
JunctionT emperatur e
TJ
150
°C
SupplyV oltage
VCC
-0.5
7.0
V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
SupplyV oltage
VCC
4.5
5.5
V
InputHighV oltage
VIH
2.2
VCC + 0.3
V
Input Low V oltage
VIL
-0.5
+0.8
V
DC CHARACTERISTICS
(VCC = 5.0V, GND = 0V, TA = -55
°C to +125°C)
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(TA = -55
°C to +125°C)
CS
OE
WE
Mode
DataI/O
Power
H
X
Standby
High Z
Standby
L
H
Read
Data Out
Active
L
H
Out Disable
High Z
Active
L
X
L
Write
Data In
Active
Parameter
Symbol
Conditions
-70
-85
-100
-120
Units
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
DataRetention
SupplyVoltage
VDR
CS
≥ VCC -0.2V
2.0
5.5
2.0
5.5
2.0
5.5
2.0
5.5
V
DataRetention
Current
ICCDR1
VCC = 3V
20
400
20
400
20
400
20
400
A
CAPACITANCE
(TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Condition
Package
Speed (ns)
Max
Unit
Inputcapacitance
CIN
VIN = 0V, f = 1.0MHz
32 Pin CSOJ, DIP,
70 to 120
1 2
pF
FlatPackEvolutionary
32 Pin CSOJ Revolutionary
70 to 120
20
pF
Outputcapicitance
COUT
VOUT = 0V, f = 1.0MHz
32 Pin CSOJ, DIP,
70 to 120
1 2
pF
FlatPackEvolutionary
32 Pin CSOJ Revolutionary
70 to 120
20
pF
Thisparameterisguaranteedbydesignbutnottested.
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PDF描述
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WS512K32-15G4TI 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CQFP68
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