參數(shù)資料
型號(hào)： WMS128K8L-100CI
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP32
封裝： 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 162K
代理商： WMS128K8L-100CI
2
White Electronic Designs Corporation Phoenix AZ (602) 437-1520
White Electronic Designs
WMS128K8-XXX
Parameter
Sym
Conditions
-70
-85
-100
-120
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input Leakage Current
ILI
VCC = 5.5, VIN = GND to VCC
10
A
Output Leakage Current
ILO
CS = VIH, OE = VIH, VOUT = GND to VCC
10
A
Operating Supply Current
ICC
CS = VIL, OE = VIH, f = 5MHz, Vcc = 5.5
30
mA
StandbyCurrent
ISB
CS = VIH, OE = VIH, f = 5MHz, Vcc = 5.5
5
mA
Output Low Voltage
VOL
IOL = 2.1mA, Vcc = 4.5
0.4
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -1.0mA, Vcc = 4.5
2.4
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
TRUTH TABLE
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Operating Temperature
TA
-55
+125
°C
Storage Temperature
TSTG
-65
+150
°C
Signal Voltage Relative to GND
VG
-0.5
Vcc+0.5
V
Junction Temperature
TJ
150
°C
Supply Voltage
VCC
-0.5
7.0
V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Supply Voltage
VCC
4.5
5.5
V
Input High Voltage
VIH
2.2
VCC + 0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.5
+0.8
V
DC CHARACTERISTICS
(VCC = 5.0V, GND = 0V, TA = -55°C TO +125°C)
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(TA = -55°C TO +125°C)
CS
OE
WE
Mode
Data I/O
Power
H
X
Standby
High Z
Standby
L
H
Read
Data Out
Active
L
H
Out Disable
High Z
Active
L
X
L
Write
Data In
Active
Parameter
Symbol
Conditions
-70
-85
-100
-120
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Data Retention
Supply Voltage
VDR
CS
VCC -0.2V
2.0
5.5
2.0
5.5
2.0
5.5
2.0
5.5
V
Data Retention
Current
ICCDR1
VCC = 3V
1
mA
CAPACITANCE
(TA = +25°C)
Parameter
Symbol
Condition
Package
Max
Unit
Input capacitance
CIN
VIN = 0V, f = 1.0MHz
32 Pin CSOJ, DIP,
12
pF
Flat Pack Evolutionary
32 Pin CSOJ Revolutionary
20
pF
Output capicitance
COUT
VOUT = 0V, f = 1.0MHz
32 Pin CSOJ, DIP,
12
pF
Flat Pack Evolutionary
32 Pin CSOJ Revolutionary
20
pF
This parameter is guaranteed by design but not tested.
NOTE: DC test conditions: VIH = VCC -0.3V, VIL = 0.3V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WMS128K8L-120CQ 128K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP32
W7NCF02GH31IS3HG 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC
WED7G1G2IDE33ADC25 80M X 16 FLASH 3.3V PROM, DMA144
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參數(shù)描述
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