參數(shù)資料
型號： VTE3372LA
廠商： PerkinElmer Inc.
英文描述： GaAlAs Infrared Emitting Diodes
中文描述： 紅外發(fā)光二極管的GaAIAs
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 25K
代理商： VTE3372LA
121
GaAlAs Infrared Emitting Diodes
Long T-1 (3 mm) Plastic Package — 880 nm
VTE3372LA, 74LA
PACKAGE DIMENSIONS
inch (mm)
CASE 50A
CHIP SIZE: .011" x .011"
Long T-1 (3 mm
DESCRIPTION
This narrow beamangle 3 mmdiameter plastic packaged emtter is suitable for use in optical switch applications. It contains a small
area, GaAlAs, 880 nm high efficiency IRED die.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C
(unless otherwise noted)
MaximumTemperatures
Storage and Operating:
Continuous Power Dissipation:
Derate above 30°C:
MaximumContinuous Current:
Derate above 30°C:
Peak Forward Current, 10 μs, 100 pps:
Temp. Coefficient of Power Output (Typ.):
-40°C to 100°C
100 mW
1.43 mW/°C
50 mA
0.71 mA/°C
2.5 A
-.8%/°C
MaximumReverse Voltage:
MaximumReverse Current @ V
R
= 5V:
Peak Wavelength (Typical):
Junction Capacitance @ 0V, 1 MHz (Typ.):
Response Time @ I
F
= 20 mA
Rise:1.0 μs
Fall: 1.0 μs
Lead Soldering Temperature:
(1.6 mmfromcase, 5 seconds max.)
5.0V
10 μA
880 nm
14 pF
260°C
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
(See also GaAlAs curves, pages 108-110)
Refer to General Product Notes, page 2.
Part Number
Output
Forward Drop
Half Power Beam
Angle
Irradiance
Radiant
Intensity
Total Power
Test
Current
V
F
E
e
Condition
I
e
P
O
I
FT
@ I
FT
θ
1/2
mW/cm
2
distance
Diameter
mW/sr
mW
mA
(Pulsed)
Volts
Typ.
Min.
Typ.
mm
mm
Min.
Typ.
Typ.
Max.
VTE3372LA
VTE3374LA
2.0
4.0
2.6
5.2
10.16
10.16
2.1
2.1
2.0
4.1
3.0
5.0
20
20
1.3
1.3
1.8
1.8
±10°
±10°
PerkinElmer Optoelectronics, 10900 Page Ave., St. Louis, MO 63132 USA Phone: 314-423-4900 Fax: 314-423-3956 Web: www.perkinelmer.com/opto
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VTE48SC24 功能描述:線性和開關(guān)式電源 24V TO 48V RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度:
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