參數(shù)資料
型號(hào): VP0300L
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: ER 3C 2#12 1#16 SKT RECP BOX RoHS Compliant: No
中文描述: P溝道30 V的(副)的MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商: VP0300L
VP0300L/LS, VQ2001J/P
Vishay Siliconix
Document Number: 70217
S-04279
Rev. E, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
1
2
3
4
5
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
=
10 V
5 V
8 V
7 V
6 V
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
T
J
=
55 C
25 C
125 C
4 V
9 V
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10 K
1 K
1
100
10
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
0.75
0.90
1.05
1.20
1.35
1.50
1.65
50
25
0
25
50
75
100
125
150
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=
4.5 V
I
D
=
0.5 A
T
J
Junction Temperature (_C)
V
GS
=
10 V
I
D
=
0.1 A
0
1000
2000
3000
4000
5000
Gate Charge
Q
g
Total Gate Charge (pC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
175
150
125
100
75
50
25
0
0
5
10
15
20
25
30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
=
15 V
I
D
=
1 A
V
DS
=
24 V
I
D
=
1 A
18
15
12
9
6
3
0
V
= 0 V
f = 1 MHz
0.5
0
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
I
D
I
D
C
V
G
r
D
(
N
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VP0300LS P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
VP0300L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-30V,夾斷電流-0.32A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VP0300 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0340N5 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB
VP0340N1 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VP0300LS 功能描述:MOSFET 30V 0.5A 0.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP0300L-TR1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin TO-226AA T/R
VP0300M 制造商:SIL 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
VP0340N1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-3
VP0340N5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB