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參數(shù)資料
| 型號： | VP0120 |
| 廠商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 中文描述： | P通道增強模式垂直的DMOS場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | VP0120 |
7-225
9
7
Typical Performance Curves
VP0120
Output Characteristics
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
I
D
V
DS
(volts)
I
D
Saturation Characteristics
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-2
-4
-6
-10
-8
Maximum Rated Safe Operating Area
-0.1
-1.0
-10
-0.01
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1
Transconductance vs. Drain Current
140
120
100
80
60
40
0
-1.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
25
20
15
10
5
0
125
75
25
D
P
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
TC = 25
°
C
0
-1000
-100
-10
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 125
°
C
V
DS
= -25V
V
GS
= -10V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V
GS
= -10V
-8V
-6V
TO-92
-8V
-4V
-6V
-4V
0
TO-92 (DC)
G
F
I
D
(amperes)
T
C
(
°
C)
V
DS
(volts)
I
D
t
p
(seconds)
– OBSOLETE –
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VP0204N2 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| VP0204N5 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| VP0204N7 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array |
| VP0204N6 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array |
| VP0216N2 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VP0120N3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-92 |
| VP0120ND | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VP01A12B10 | 制造商:Hamlin Electronics 功能描述: |
| VP01A24A10 | 制造商:Hamlin Electronics 功能描述: |
| VP01C12A10 | 制造商:Hamlin Electronics 功能描述: |
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