參數(shù)資料
型號： VNV49N0413TR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N -通道|蘇
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大小： 133K
代理商： VNV49N0413TR
3/14
VNP49N04FI / VNB49N04 / VNV49N04
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40
°
C < T
j
< 125
°
C, unless otherwise specified)
OFF
ON (*)
DYNAMIC
SWITCHING (**)
Symbol
Parameter
Value
D2PAK
1
62.5
Unit
PowerSO-10
1
50
ISOWATT220
3.12
62.5
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
}}}
Thermal Resistance Junction-ambient
MAX
MAX
°
C/W
°
C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
Zero Input Voltage Drain
Current (V
IN
=0V)
Supply Current from Input
Pin
I
D
=200 mA; V
IN
=0
34
42
50
V
V
CLTH
I
D
=2mA; V
IN
=0
33
V
V
INCL
I
IN
= -1mA
-1.2
-0.1
V
I
DSS
V
DS
=13V; V
IN
=0V
V
DS
=25V; V
IN
=0V
70
220
μ
A
μ
A
I
ISS
V
DS
=0V; V
IN
=10V
250
550
μ
A
Symbol
V
IN(th)
Parameter
Test Conditions
Min
0.8
Typ
Max
3
0.04
0.05
Unit
V
Input Threshold Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
=V
IN;
I
D
+ I
IN
=1mA
V
IN
=10V; I
D
=25A
V
IN
=5V; I
D
=25A
R
DS(on)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
g
fs
(*)
Forward
Transconductance
Output Capacitance
V
DS
=13V; I
D
=25A;
T
c
=25
°
C
25
30
S
C
OSS
V
DS
=13V; f=1MHz; V
IN
=0V;
T
c
=25
°
C
1100
1500
pF
Symbol
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
200
1300
800
300
1.3
3.8
12
6.1
Max
600
3600
2400
900
3.8
10.4
24
17
Unit
ns
ns
ns
ns
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DS
=15V; I
D
=25A
V
gen
=10V; R
gen
=10
(see figure 3)
V
DS
=15V; I
D
=25A
V
gen
=10V; R
gen
=1000
(see figure 3)
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
V
DS
=15V; I
D
=25A
V
IN
=10V; R
gen
=10
V
DS
=15V; I
D
=25A; V
IN
=10V
25
A/
μ
s
Q
i
Total Input Charge
100
nC
1
相關PDF資料
PDF描述
VND05B012Y Dual Peripheral Driver
VND05B011Y Dual Peripheral Driver
VND05BSP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VND05B(011Y) Circular Connector; No. of Contacts:23; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:16-99
VND05B(012Y) Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:23; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:16-99
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNV49N04-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 42V 49A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW100N04 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH TO-247
VNW100N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW35NV04 功能描述:電源開關 IC - 配電 VIPOWER RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*