參數(shù)資料
型號: VNV20N07
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述: “OMNIFET”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù): 2/13頁
文件大小: 153K
代理商: VNV20N07
ABSOLUTE MAXIMUMRATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
PowerSO-10
D2PAK
ISOWATT220
V
DS
Drain-source Voltage (V
in
= 0)
Internally Clamped
V
V
in
Input Voltage
18
V
I
D
I
R
Drain Current
Internally Limited
A
Reverse DC Output Current
-28
A
V
esd
Electrostatic Discharge (C= 100 pF, R=1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
83
34
W
o
C
o
C
o
C
T
j
Operating Junction Temperature
Internally Limited
T
c
Case Operating Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
ISOWATT220
PowerSO-10
D2PAK
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.75
62.5
1.5
50
1.5
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
Zero Input Voltage
Drain Current (V
in
= 0)
I
D
= 200 mA
V
in
= 0
60
70
80
V
V
CLTH
I
D
= 2 mA
V
in
= 0
55
V
V
INCL
I
in
= -1 mA
-1
-0.3
V
I
DSS
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
V
in
= 0
V
in
= 0
50
200
μ
A
μ
A
μ
A
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
= 0 V
V
in
= 10 V
250
500
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IN(th)
Input Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
in
I
D
+ Ii
n
= 1 mA
0.8
3
V
R
DS(on)
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
I
D
= 10 A
I
D
= 10 A
0.05
0.07
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
I
D
= 10 A
13
17
S
C
oss
V
DS
= 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
500
800
pF
VNP20N07FI-VNB20N07-VNV20N07
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PDF描述
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VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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VNV20N07-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV20N07TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV28N04 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV28N04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5