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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VNP10N06 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| 中文描述： | 充分Autoprotected功率MOSFET（全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | VNP10N06 |
ABSOLUTE MAXIMUMRATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
in
= 0)
Internally Clamped
V
V
in
Input Voltage
Internally Clamped
V
I
in
Input Current
±
20
mA
I
D
Drain Current
Internally Limited
A
I
R
Reverse DC Output Current
-15
A
V
esd
Electrostatic Discharge (C= 100 pF, R=1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
4000
V
P
tot
42
W
o
C
o
C
o
C
T
j
Operating Junction Temperature
Internally Limited
T
c
Case Operating Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Input Low Level
Voltage
Input High Level
Voltage
I
D
= 200 mA
V
in
= 0
50
60
70
V
V
IL
I
D
= 100
μ
A
V
DS
= 16 V
1.5
V
V
IH
R
L
= 27
V
DS
= 0.5 V
I
in
= -1 mA
I
in
= 1 mA
V
DD
= 16 V
3.2
V
V
INCL
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
-1
8
-0.3
11
V
V
I
DSS
Zero Input Voltage
Drain Current (V
in
= 0)
V
DS
= 50 V
V
DS
< 35 V
V
in
= V
IL
V
in
= V
IL
250
100
μ
A
μ
A
μ
A
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
= 0 V
V
in
= 5 V
150
300
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
in
= 7 V
I
D
= 1 A
T
J
< 125
o
C
0.15
0.3
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
oss
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
350
500
pF
VNP10N06
2/11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNP10N07FI | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| VNP10N07 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| VNP14N04 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| VNP20N07FI | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
| VNP20N07 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNP10N06-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNP10N06FI | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N06FI-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07 | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
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