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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VNK10N06FM |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY |
| 中文描述： | 標(biāo)準(zhǔn)高邊智能電源固態(tài)繼電器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | VNK10N06FM |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
oss
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
350
500
pF
SWITCHING (**)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 16 V
V
gen
= 7 V
(see figure 3)
I
d
= 1 A
R
gen
= 10
1100
550
200
100
1600
900
400
200
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
(di/dt)
on
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 16 V
V
gen
= 7 V
(see figure 3)
I
d
= 1 A
R
gen
= 1000
1.2
1
1.6
1.2
1.8
1.5
2.3
1.8
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
V
DD
= 16 V
V
in
= 7 V
V
DD
= 12 V
I
D
= 1 A
R
gen
= 10
I
D
= 1 A
1.5
Q
i
Total Input Charge
V
in
= 7 V
13
nC
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
V
SD
(
)
t
rr
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward On Voltage
I
SD
= 1 A
V
in
= V
IL
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 25
o
C
0.8
1.6
V
Q
rr
(
)
I
RRM
(
)
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 1 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
125
0.22
3.5
ns
μ
C
A
PROTECTION
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
lim
Drain Current Limit
V
in
= 7 V
V
DS
= 13 V
6
10
15
A
t
dlim
(
)
Step Response
Current Limit
Overtemperature
Shutdown
Overtemperature Reset
V
in
= 7 V
V
DS
step from 0 to 13 V
12
20
μ
s
T
jsh
(
)
150
o
C
T
jrs
(
)
E
as
(
)
135
o
C
Single Pulse
Avalanche Energy
starting T
j
= 25
o
C
V
in
= 7 V
V
DD
= 24 V
L = 10 mH
R
gen
= 1 K
250
mJ
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Parameters guaranteed by design/characterization
VND10N06/VND10N06-1/VNP10N06FI/VNK10N06FM
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNK14N04FM | MULTI DVI RECEIVER W/SA D/CHAIN MULTIMODE -FIBER |
| VNK7N04FM | ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNN3NV04 | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNP10N06FI | “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ) |
| VNP10N06 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNK10N07FM | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNK14N04FM | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| VNK5N07FM | 功能描述:MOSFET N-CH 70V 5A SOT-82FM RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:OMNIFET II™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| VNK7N04FM | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| VNL08C351-INV | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:INVERTER LCD BACKLIGHT |
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