參數(shù)資料
型號： VNH70N07
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
中文描述： 充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： VNH70N07
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
V
gen
= 10 V
(see figure 3)
I
d
= 30 A
R
gen
= 10
100
400
900
400
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
V
gen
= 10 V
T
j
= 125
o
C
(see figure 3)
I
d
= 30 A
R
gen
= 10
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
A/
μ
s
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
V
gen
= 10 V
(see figure 3)
I
d
= 30 A
R
gen
= 1000
TBD
TBD
TBD
TBD
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
V
DD
= 15 V
V
in
= 10 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
TBD
Q
g
Total Gate Charge
I
D
= 30 A
V
in
= 10 V
TBD
nC
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
V
SD
(
)
t
rr
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A
V
in
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
TBD
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 30 A
V
DD
= V
(see test circuit, figure 5)
TBD
TBD
TBD
ns
μ
C
A
PROTECTION
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
lim
Drain Current Limit
V
in
= 10 V
V
DS
= 13 V
48
70
100
A
t
dlim
Step Response
Current Limit
Overtemperature
Shutdown
Overtemperature Reset
V
in
= 10 V
V
DS
= 13V
TBD
μ
s
T
jsh
150
170
190
o
C
T
jrs
135
o
C
I
gf
Fault Sink Current
V
in
= 10 V
starting T
j
= 25
o
C
V
in
= 10 V R
gen
= 1 K
V
DS
= 13 V
50
mA
E
as
Single Pulse
Avalanche Energy
V
DD
= 20 V
L = mH
TBD
J
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
VNH70N07
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNI4140K Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 14.5 to 15.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35
VNK10N06FM ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VNK14N04FM MULTI DVI RECEIVER W/SA D/CHAIN MULTIMODE -FIBER
VNK7N04FM ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNN3NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNH7100ASTR 功能描述:SO 16 .15 TO JEDEC MS-012 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q100，VIPOWER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電機類型 - 步進:- 電機類型 - AC，DC:有刷直流 功能:驅(qū)動器 - 全集成，控制和功率級 輸出配置:半橋（2） 接口:PWM 技術(shù):功率 MOSFET 步進分辨率:- 應(yīng)用:汽車級 電流 - 輸出:12A 電壓 - 電源:4 V ~ 28 V 電壓 - 負載:4 V ~ 28 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1
VNH7100BASTR 功能描述:SO 16 .15 TO JEDEC MS-012 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q100，VIPOWER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 電機類型 - 步進:- 電機類型 - AC，DC:有刷直流 功能:驅(qū)動器 - 全集成，控制和功率級 輸出配置:半橋（2） 接口:PWM 技術(shù):功率 MOSFET 步進分辨率:- 應(yīng)用:汽車級 電流 - 輸出:15A 電壓 - 電源:4 V ~ 28 V 電壓 - 負載:4 V ~ 28 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-SO 標準包裝:1
VNHL3NV04D-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC VIPOWER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNHL3NV04DTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC VIPOWER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNI2140J 功能描述:功率驅(qū)動器IC Dual High Side Power Solid State RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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