參數(shù)資料
型號： VNH50N04
廠商： 意法半導體
英文描述： Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
中文描述： 充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 91K
代理商： VNH50N04
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
in
= 0)
Internally Clamped
V
V
in
Input Voltage
18
V
I
D
Drain Current
Internally Limited
A
I
R
Reverse DC Output Current
-50
A
V
esd
Electrostatic Discharge (C= 100 pF, R=1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
208
W
o
C
o
C
o
C
T
j
Operating Junction Temperature
Internally Limited
T
c
Case Operating Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
0.6
30
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
Zero Input Voltage
Drain Current (V
in
= 0)
I
D
= 18 A
V
in
= 0
31
45
V
V
CLTH
I
D
= 2 mA
V
in
= 0
30
V
V
INCL
I
in
= -1 mA
-1
-0.3
V
I
DSS
V
DS
= 13 V
V
DS
= 25 V
50
200
μ
A
μ
A
μ
A
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
= 0 V
V
in
= 8 V
250
500
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IS(th)
Input Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
in
I
D
= 1 mA
1
3
V
R
DS(on)
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A
0.012
TBD
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
I
D
= 30 A
40
S
C
oss
V
DS
= 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
1800
3000
pF
VNH50N04
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PDF描述
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