參數(shù)資料
型號: VND810MSP
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述: 雙通道高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù): 14/18頁
文件大?。?/td> 263K
代理商: VND810MSP
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VND810SP
PowerSO-10
PC Board
R
thj-amb
Vs PCB copper area in open box free air condition
PowerSO-10
THERMAL DATA
Layout condition of R
and Z
measurements (PCB FR4 area= 58mm x 58mm, PCB thickness=2mm,
Cu thickness=35
μ
m, Copper areas: from minimum pad lay-out to 8cm
2
).
30
35
40
45
50
55
0
2
4
6
8
10
PCB Cu heatsink area (cm^2)
RTHj_amb (°C/W)
Tj-Tamb=50°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
VND810MSP13TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810P-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC STD VIPower 36V 3.5A Double Ch 160mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER