參數(shù)資料
型號： VND810
廠商： 意法半導體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 雙通道高邊驅動器
文件頁數(shù)： 14/18頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： VND810
14/18
VND810SP
PowerSO-10
PC Board
R
thj-amb
Vs PCB copper area in open box free air condition
PowerSO-10
THERMAL DATA
Layout condition of R
and Z
measurements (PCB FR4 area= 58mm x 58mm, PCB thickness=2mm,
Cu thickness=35
μ
m, Copper areas: from minimum pad lay-out to 8cm
2
).
30
35
40
45
50
55
0
2
4
6
8
10
PCB Cu heatsink area (cm^2)
RTHj_amb (°C/W)
Tj-Tamb=50°C
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VND81013TR 功能描述:功率驅動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND810MSP 功能描述:功率驅動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSP13TR 功能描述:功率驅動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSP-E 功能描述:功率驅動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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