參數(shù)資料
型號： V827464N24S
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 2.5 VOLT 64M x 72 HIGH PERFORMANCE REGISTERED ECC DDR SDRAM MODULE
中文描述： 2.5伏6400 × 72高的表現(xiàn)，ECC的DDR內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大小： 478K
代理商： V827464N24S
10
MOSEL VITELIC
V827464N24S
V827464N24S Rev. 1.0 August 2002
AC Characteristics
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
(PC333)
(PC266A)
(PC266B)
(PC200)
Unit Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time
t
RC
60
-
65
-
65
-
70
-
ns
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
72
-
75
-
75
-
80
-
ns
Row Active Time
t
RAS
42
120K
45
120K
45
120K
50
120K
ns
Row Address to Column Address Delay
t
RCD
18
-
20
-
20
-
20
-
ns
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
12
-
15
-
15
-
15
-
ns
Column Address to Column Address Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Row Precharge Time
t
RP
18
-
20
-
20
-
20
-
ns
Write Recovery Time
t
WR
12
-
15
-
15
-
15
-
ns
Last Data-In to Read Command
t
DRL
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Auto Precharge Write Recovery + Precharge
Time
t
DAL
35
-
35
-
35
-
35
-
ns
System Clock Cycle
Time
CAS Latency = 2.5
t
CK
6
12
7
12
7.5
12
8
12
ns
CAS Latency = 2
7.5
12
7.5
12
10
12
10
12
ns
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Data-Out edge to Clock edge Skew
t
AC
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
t
DQSCK
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge Skew
t
DQSQ
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
ns
Data-Out hold time from DQS
t
QH
t
HPmin
-0.75ns
-
t
HPmin
-0.75ns
-
t
HPmin
-0.75ns
-
t
HPmin
-0.75ns
-
ns
1
Clock Half Period
t
HP
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
t
CH/L
min
-
ns
1
Input Setup Time (fast slew rate)
t
IS
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,6
Input Hold Time (fast slew rate)
t
IH
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,6
Input Setup Time (slow slew rate)
t
IS
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,6
Input Hold Time (slow slew rate)
t
IH
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,6
Input Pulse Width
t
IPW
0.4
0.6
2.2
-
2.2
-
-
-
ns
6
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CLK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.75
1.25
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CLK
CLK to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.45
-
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
CLK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
7
Data-in Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
1.75
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
7
DQ & DM Input Pulse Width
t
DIPW
0.9
1.1
1.75
-
1.75
-
2
-
ns
Read DQS Preamble Time
t
RPRE
0.4
0.6
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
CLK
Read DQS Postamble Time
t
RPST
0
-
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CLK
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PDF描述
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V82MA3B 功能描述:壓敏電阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
V82MA3S 功能描述:壓敏電阻 3MM Axial RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
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