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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V55C3256164VBUG10E |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MO-210, FBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/46頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | V55C3256164VBUG10E |
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V55C3256164VB Rev. 1.0 March 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V55C3256164VB
8.1 Termination of a Burst Read Operation
(CAS latency = 2, 3)
8.2 Termination of a Burst Write Operation
(CAS latency = 2, 3)
COMMAND
READ A
NOP
Burst
NOP
t
CK2, I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3, I/O’s
CAS latency = 3
Stop
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
Burst
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A2
Stop
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Input data for the Write is masked.
I/O’s
CAS latency = 2,3
don’t care
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PDF描述 |
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