參數(shù)資料
型號: UPA895TD
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述: NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商: UPA895TD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
UPA895TD
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
400
μ
a
360
μ
a
320
μ
a
I
B
= 40
μ
a
80
μ
a
120
μ
a
160
μ
a
200
μ
a
240
μ
a
280
μ
a
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
50
60
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
1000
10
100
0.1
1
10
100
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 2 V
1000
10
100
0.1
1
10
100
G
T
Collector Current, I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
2
6
1
10
100
10
8
4
0
I
2
|
2
M
M
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
V
CE
= 1 V
I
C
= 5 mA
35
5
15
0.1
1
10
30
25
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
I
2
|
2
M
M
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
V
CE
= 1 V
I
C
= 15 mA
35
5
15
0.1
1
10
30
25
20
10
0
|S
21e
|
2
MAG
MSG
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PDF描述
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參數(shù)描述
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UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel