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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR2219(UN2219) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 15/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | UNR2219(UN2219) |
UNR22XX Series
15
SJH00010BED
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.9 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
1
0.1
1
10
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
100
1
000
10
000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.01
1
0.1
1
10
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Characteristics charts of UNR221T
Characteristics charts of UNR221V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR2218(UN2218) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR2217(UN2217) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN2227 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR2227 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN2226 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR221D | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
| UNR221D(UN221D) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221D00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 30 HFE MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR221E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR221E(UN221E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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