參數(shù)資料
型號(hào)： UMT1NTR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： UMT6, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： UMT1NTR
EMT1 / UMT1N / IMT1A
Transistors
Rev.A
2/3
Electrical characteristics (Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
60
50
6
120
140
4
0.1
560
0.5
5
VIC =
50A
IC =
1mA
IE =
50A
VCB =
60V
VEB =
6V
VCE =
6V, IC = 1mA
VCE =
12V, IE = 2mA, f = 100MHz
IC/IB =
50mA/5mA
VCB =
12V, IE = 0A, f = 1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
Packaging specifications
Package
Taping
Code
UMT1N
EMT1
Type
IMT1A
TR
3000
T2R
8000
T108
3000
Basic ordering unit (pieces)
Electrical characteristic curves
-0.2
COLLECTOR
CURRENT
:
Ic
(mA)
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
VCE =
6V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
Ta = 100
°C
25
°C
40
°C
-0.4
-4
-8
-1.2
0
-2
-6
-10
-0.8
-1.6
-2.0
-3.5
A
-7.0
-10.5
-14.0
-17.5
-21.0
-24.5
-28.0
-31.5
IB = 0
Ta = 25
°C
-35.0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics (
Ι )
-40
-80
-5
-3
-4
-2
-1
-20
-60
-100
0
IB = 0
Ta = 25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.3 Grounded emitter output
characteristics (
ΙΙ )
-50
A
-100
-150
-200
-250
-500
-450
-400
-350
-300
500
200
100
50
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Ta = 25
°C
VCE = -5V
-3V
-1V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current (
Ι )
500
200
100
50
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector
current (
ΙΙ )
VCE = -6V
Ta = 100
°C
-40
°C
25
°C
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
-1
-0.5
-0.2
-0.05
Ta = 25
°C
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
Ι )
IC/IB
= 50
20
10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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UMT1V100MDD1TP 功能描述:10μF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C 制造商:nichicon 系列:UMT 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:10μF 容差:±20% 額定電壓:35V ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 不同溫度時(shí)的使用壽命:105°C 時(shí)為 1000 小時(shí) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 極化:- 應(yīng)用:通用 紋波電流:25mA 阻抗:- 引線間距:0.079"（2.00mm） 大小/尺寸:0.197" 直徑（5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
UMT1V101MDD 制造商:NICHICON 制造商全稱:Nichicon corporation 功能描述:ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
UMT1V220MDD 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 35volts 22uF 6.3x5 20% 2.5LS RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長(zhǎng)度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk
UMT1V220MDD1TP 制造商:Nichicon Corporation 功能描述:CAP ALUM 22UF 35V 20% RADIAL
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