參數(shù)資料
型號(hào)： TP2640LG
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 210 mA, 400 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 457K
代理商： TP2640LG
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
TP2635/TP2640
Typical Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
I
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
400
C
V
DS
(volts)
BV
0
-10
-20
-30
-40
200
300
100
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
30
24
18
12
6
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-10
-8
-6
-4
-2
0
1
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
263pF
V
DS
= -10V
V
DS
= -40V
678pF
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
V
GS
= -2.5V
+125
°
C
0
-0.4
-0.8
-1.2
-2.0
-1.6
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
R
DS(ON)
@ -10V, -0.3A
25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= -25V
0
V
(th)
@ -1mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP2640N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640ND P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP5322_07 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP5322 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
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參數(shù)描述
TP2640LG-G 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2640N3 功能描述:MOSFET 400V 15Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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TP2640N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP2640N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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