參數(shù)資料
型號(hào)： TN2540-800GTR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 2-Port PCI-to-PCI Bridge
中文描述： 第25A可控硅
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： TN2540-800GTR
TN25 and TYNx25 Series
5/7
Fig. 6:
Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10 ms, and corresponding values of I2t.
Fig. 7:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 8:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m)
(D
2
PAK).
0.01
0.10
1.00
10.00
100
1000
2000
ITSM(A),I
2
t(A
2
s)
Tj initial = 25°C
ITSM
I
2
t
lidI/dt
tp(ms)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1
10
100
300
ITM(A)
Tj = 25°C
Tj = Tj max.
Tj max.:
Vto = 0.77V
Rd = 14m
VTM(V)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Rth(j-a)(°C/W)
S(cm
2
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2540-1000G 25A SCRs
TN2540-1000GTR 25A SCRs
TN2540-600GTR 25A SCRs
TN2540-G SCR
TN2540-xxxG 25A SCRs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN2540-800G-TR 功能描述:SCR 25A SCRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TN-254097-10-9 制造商:TE Connectivity 功能描述:Labels Thermal Transfer Printable Label Polyethylene White 25.4x9.7mm
TN2540-G 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SCR
TN2540N3 功能描述:MOSFET 400V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2540N3-G 功能描述:MOSFET 400V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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