參數(shù)資料
型號： TN2130
廠商： Supertex, Inc.
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 454K
代理商： TN2130
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
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Gate Drive Dynamic Characteristics
V
G
T
j
(
°
C)
V
G
R
D
(
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
50
C
I
D
(amperes)
0
10
20
30
40
25
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
50
40
30
20
10
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
28pF
V
DS
= 10V
80 pF
V
DS
= 40V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
f = 1MHz
0.9
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS(th)
@ 1mA
R
DS(ON)
@ 4.5V, 120mA
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 15V
V
DS
125
°
C
Q
G
(nanocoulombs)
V
DS
(volts)
V
GS
(volts)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
25
°
C
Typical Performance Curves
TN2130
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2130K1 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2130ND N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2425 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓250V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2425 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2425N8 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN2130K1 功能描述:MOSFET 300V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2130K1-G 功能描述:MOSFET 300V 25Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2130ND 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN21-B.29 制造商:TEKO 功能描述:Bulk 制造商:TEKO 功能描述:ENCLOSURE TEKNET BLACK/GREY
TN21-B.29-AL 制造商:OKW ENCLOSURES INC 功能描述:ENCLOSURE, ABS, BLACK/GRAY, 6.102 X 3.78 X .953 W/BATTERY
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