Table 58 assumes testing over recommended opera" />
參數(shù)資料
型號： TMS320VC5409GGU100
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 53/93頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DIG SIG PROCESSOR 144-BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： TMS320C54x
類型： 定點(diǎn)
接口： 主機(jī)接口，McBSP
時(shí)鐘速率： 100MHz
非易失內(nèi)存： ROM（32 kB）
芯片上RAM： 64kB
電壓 - 輸入/輸出： 3.30V
電壓 - 核心： 1.80V
工作溫度： -40°C ~ 100°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 144-LFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 144-BGA MICROSTAR（12x12）
包裝： 托盤
配用： 296-15829-ND - DSP STARTER KIT FOR TMS320C5416
其它名稱： 296-10763
296-10763-5
296-10763-5-ND
Documentation Support
57
April 1999 Revised October 2008
SPRS082F
5.7.2 Memory Write
Table 58 assumes testing over recommended operating conditions with MSTRB = 0 and H = 0.5tc(CO) (see
Figure 56).
Table 58. Memory Write Switching Characteristics
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
td(CLKH-A)
Delay time, CLKOUT high to address valid
0
3
ns
td(CLKL-A)
Delay time, CLKOUT low to address valid§
0
3
ns
td(CLKL-MSL)
Delay time, CLKOUT low to MSTRB low
0
3
ns
td(CLKL-D)W
Delay time, CLKOUT low to data valid
0
8
ns
td(CLKL-MSH)
Delay time, CLKOUT low to MSTRB high
0
3
ns
td(CLKH-RWL)
Delay time, CLKOUT high to R/W low
0
4
ns
td(CLKH-RWH)
Delay time, CLKOUT high to R/W high
0
4
ns
td(RWL-MSTRBL)
Delay time, R/W low to MSTRB low
H 2
H + 1
ns
th(A)W
Hold time, address valid after CLKOUT high
0
3
ns
th(D)MSH
Hold time, write data valid after MSTRB high
H3
H+6§
ns
tw(SL)MS
Pulse duration, MSTRB low
2H2
ns
tsu(A)W
Setup time, address valid before MSTRB low
2H2
ns
tsu(D)MSH
Setup time, write data valid before MSTRB high
2H6
2H+6§
ns
ten(DRWL)
Enable time, data bus driven after R/W low
H5
ns
tdis(RWHD)
Disable time, R/W high to data bus high impedance
0
ns
Address, PS, and DS timings are all included in timings referenced as address.
In the case of a memory write preceded by a memory write
§ In the case of a memory write preceded by an I/O cycle
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TMS320VC5409PGE100 制造商:Texas Instruments 功能描述:Digital Signal Processor IC
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