參數(shù)資料
型號： TMP89FH46LDUG
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP48
封裝： 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, LQFP-48
文件頁數(shù)： 275/428頁
文件大小： 6679K
代理商： TMP89FH46LDUG
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10. Set FLSCR1<FLSMD> to "0y010", and then set "0xD5" on FLSCR2<CR1EN> (to disable the
execution of the command sequence).
Note 1: If the RAM loader is used in serial PROM mode, the BOOTROM disables (DI) a maskable interrupt, and
the interrupt vector area is designated as a RAM area (SYSCR3<RVCTR>="1"). Considering that a
nonmaskable interrupt may be generated unexpectedly, it is recommended that vector addresses cor-
responding these interrupts (INTUNDEF, INTSWI: 0x01F8 to 0x01F9, WDT: 0x01FC to 0x01FD) be
established and that an interrupt service routine be defined inside the RAM area.
Note 2: If a certain interrupt is used in the RAM loader program, a vector address corresponding to that interrupt
and the interrupt service routine must be established inside the RAM area. In this case, it is recommended
that a nonmaskable interrupt be handled as explained in Note 1.
Note 3: Do not set SYSCR3<RVCTR> to "0" by using the RAM loader program. If an interrupt occurs with
SYSCR3<RVCTR> set to "0", the BOOTROM area is referenced as a vector address and, therefore, the
program will not function properly.
Example: A case in which a program is transferred to RAM, the sector erase is performed on 0xE000 through 0xEFFF
in the code area, and then data of 0x3F is written to 0xE500.
If nonmaskable interrupts (INTSWI, INTUNDEF or INTWDT) occur, system clock reset is generated.
main section code abs = 0x0100
; #### Set a nonmaskable interrupt vector inside the RAM area #### (step 3)
LD
HL,0x01FC
; Set INTUNDEF and INTSWI interrupt vectors
LDW
(HL),sINTSWI
LD
HL,0x01F8
; Set INTWDT interrupt vector
LDW
(HL),sINTWDT
; #### Sector erase and write process ####
LD
HL,0xF555
; Variable for command sequence
LD
DE,0xFAAA
; Variable for command sequence
; Sector erase process (step 5)
LD
C,0x00
; Set upper address
LD
IX,0xE000
; Set middle and lower addresses
CALL
sSectorErase
; Perform a sector erase (0xE000)
; Write process (step 8)
LD
C,0x00
; Set upper address
LD
IX,0xE500
; Set middle and lower addresses
LD
B,0x3F
; Data to be written
CALL
sByteProgram
; Write process (0xE500)
; #### Execute the next main program ####
:
; Execute the main program
J
XXXXX
; #### Program to be executed in RAM ####
sSectorErase:
CALL
sAddConv
; Address conversion process
; Sector erase proc-
ess
LD
(HL),E
; 1st Bus Write Cycle (note 1)
LD
(DE),L
; 2nd Bus Write Cycle (note 1)
LD
(HL),0x80
; 3rd Bus Write Cycle (note 1)
LD
(HL),E
; 4th Bus Write Cycle (note 1)
LD
(DE),L
; 5th Bus Write Cycle (note 1)
LD
(IX),0x30
; 6th Bus Write Cycle (note 1)
J
sRAMopEnd
; Write process
sByteProgram:
CALL
sAddConv
; Convert address
LD
(HL),E
; 1st Bus Write Cycle (note 1)
LD
(DE),L
; 2nd Bus Write Cycle (note 1)
LD
(HL),0xA0
; 3rd Bus Write Cycle (note 1)
LD
(IX),B
; 4th Bus Write Cycle (note 1)
TMP89FH46L
21. Flash Memory
21.5 Access to the Flash Memory Area
Page 332
RA005
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PDF描述
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TMPG06-13/50 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
TMPG06-27/50 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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