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參數(shù)資料
| 型號： | TLE2062BMFK |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| 中文描述： | 神劍JFET輸入高輸出驅(qū)動MPOWER的運算放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 58/75頁 |
| 文件大小： | 1509K |
| 代理商： | TLE2062BMFK |
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μ
SLOS193B FEBRUARY 1997 REVISED MAY 2004
58
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
APPLICATION INFORMATION
macromodel information
Macromodel information provided was derived using Microsim
Parts
, the model generation software used
with Microsim
PSpice
. The Boyle macromodel (see Note 5) and the subcircuit in Figure 46 were generated
using the TLE206x typical electrical and operating characteristics at 25
°
C. Using this information, output
simulations of the following key parameters can be generated to a tolerance of 20% (in most cases).
Unity-gain frequency
Common-mode rejection ratio
Phase margin
DC output resistance
AC output resistance
Short-circuit output current limit
Maximum positive output voltage swing
Maximum negative output voltage swing
Slew rate
Quiescent power dissipation
Input bias current
Open-loop voltage amplification
NOTE 5: G. R. Boyle, B. M. Cohn, D. O. Pederson, and J. E. Solomon, “
Macromodeling of Integrated Circuit Operational Amplifiers
”
,
IEEE Journal
of Solid-State Circuits
, SC-9, 353 (1974).
OUT
+
+
53
+
+
+
+
+
+
.subckt TLE2062 1 2 3 4 5
c1
11
12 1.457E12
c2
6
7 15.00E12
dc
5
53 dx
de
54
5 dx
dlp
90
91 dx
dln
92
90 dx
dp
4
3 dx
egnd 99
0 poly (2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5
fb
7
99 poly (5) vb vc ve vlp
+ vln 0 4.357E6 4E6 4E6 4E6 4E6
ga
6
0 11 12 188.5E6
gcm
0
6 10 99 3.352E9
iss
3
10 dc 51.00E6
hlim 90
0 vlim 1k
j1
11
2 10 jx
j2
12
1 10 jx
r2
6
9 100.0E3
VCC+
rp
IN
2
IN+
1
VCC
rd1
11
j1
j2
10
rss
iss
3
12
rd2
ve
54
de
dp
vc
dc
4
C1
r2
6
9
egnd
vb
fb
C2
gcm
ga
vlim
8
5
ro1
ro2
hlim
90
dip
91
din
92
vin
vip
99
7
rd1
rd2
r01
r02
rp
rss
vb
vc
ve
vlim 7
vlp
vln
.model dx D(Is=800.0E18)
.model jx PJF(Is=2.000E12 Beta = 423E6
+ Vto = 1)
.ends
4
4
8
7
3
10
9
3
54
11 5.305E3
12 5.305E3
5 280
99 280
4 113.2E3
99 3.922E6
0 dc 0
53 dc 2
4 dc 2
8 dc 0
0
dc 50
92 dc 50
91
0
Figure 46. Boyle Macromodel and Subcircuit
PSpice
and
Parts
are trademarks of MicroSim Corporation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TLE2061ACDR | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLE2061ACDRG4 | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLE2061AIDR | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLE2061MDR | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLE2061MFK | EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TLE2062BMP | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLE2062CD | 功能描述:運算放大器 - 運放 Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
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