參數資料
型號： TISPPBL3
廠商： Bourns Inc.
英文描述： DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
中文描述： 雙遠期導電的P -門晶閘管愛立信微電子用戶線接口電路電路（SLIC）
文件頁數： 8/14頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： TISPPBL3
OCTOBER 2000 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
TISPPBL3 Programmable Protector
Maximum TIPX and RINGX Terminal Ratings (continued)
PART NUMBER
PBL 3762A/2
PBL 3762A/4
PBL 3764A/4
PBL 3764A/6
PBL 3860A/1
PBL 3860A/6
PBL 386 10/2
PBL 386 11/2
PBL 386 14/2
PBL 386 15/2
PBL 386 61/2
PBL 386 65/2
PBL 387 10/1
MAXIMUM VOLTAGE RATINGS
d.c. V
BAT
& +2 V, < 10 ms V
BAT
-20 V & +5 V, < 1
μ
s V
BAT
-40 V & +10 V, < 250 ns V
BAT
-70 V & +15 V
15
PBL 3766
PBL 3766/6
PBL 3767
PBL 3767/6
d.c. V
BAT
& +0.5 V, < 10 ms V
BAT
-20 V & +5 V, < 1
μ
s V
BAT
-40 V & +10 V, < 250 ns V
BAT
-70 V & +15 V
15
PBL 386 20/2
PBL 386 21/2
PBL 386 30/2
PBL 386 40/2
PBL 386 50/2
d.c. -80 V & +2 V, < 10 ms V
BAT
-10 V & +5 V, < 1
μ
s V
BAT
-25 V & +10 V, < 250 ns V
BAT
-35 V & +15 V
Figure 7. TIPX And RINGX Rated Values
TIPX or RINGX VOLTAGE RATING vs TIME
(NEGATIVE RATING RELATIVE TO V
Bat
)
0
5
10
AI6XDBAA
T
V
Bat
- 70
V
Bat
- 60
V
Bat
- 50
V
Bat
- 40
V
Bat
- 30
V
Bat
- 20
V
Bat
- 10
V
Bat
0.25
μ
s
1
μ
s
10 ms
Time
TIPX or RINGX VOLTAGE RATING vs TIME
(NEGATIVE RATING RELATIVE TO V
Bat
)
0
5
10
AI6XDBAB
T
V
Bat
- 70
V
Bat
- 60
V
Bat
- 50
V
Bat
- 40
V
Bat
- 30
V
Bat
- 20
V
Bat
- 10
V
Bat
0.25
μ
s
1
μ
s
10 ms
Time
TIPX or RINGX VOLTAGE RATING vs TIME
(NEGATIVE IMPULSE RATING RELATIVE TO V
Bat
)
0
5
10
15
AI6XDBAC
V
Bat
- 40
V
Bat
- 30
V
Bat
- 20
V
Bat
- 10
V
Bat
0.25
μ
s
1
μ
s
10 ms
Time
T
-
APPLICATIONS INFORMATION
相關PDF資料
PDF描述
TISPPBL3D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3DR DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3DR-S DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3D-S DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TITAN19244 Semiconductor Solutions for High Speed Communications and Fiber Optic Applications
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參數描述
TISPPBL3D 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3DR 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3DR-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3D-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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