參數(shù)資料
型號(hào)： TISPPBL2SDR
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
中文描述： 愛立信元件博亞可編程過電壓保護(hù)3xxx系列SLIC組件
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： TISPPBL2SDR
7
AUGUST 1999
TISPPBL2SD
PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7.
Figure 8.
Figure 9.
Figure 10.
DISTRIBUTION LIMITS OF
THYRISTOR LIMITING VOLTAGE
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
K
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
AI6XAW
50 devices tested from 10 wafer lots
0.5/700 Waveform
I
T
= -20 A
T
A
= 25°C
V
GG
= -50 V
DISTRIBUTION LIMITS OF
DIODE FORWARD VOLTAGE
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
0
1
2
3
4
5
6
AI6XAX
50 devices tested from 10 wafer lots
0.5/700 Waveform
I
F
= 20 A
T
A
= 25°C
V
GG
= -50 V
CUMULATIVE POPULATION %
vs
PEAK LIMITING VOLTAGE
Peak Limiting Voltage - V
4
5
6
7
8
9
15
10
C
0·001
0·01
0·1
1
10
30
50
70
90
99
99·9
99·99
99·999
TC6XAB
50 devices tested from 10 wafer lots
I
F
= 20 A, I
T
= -20 A, 0.5/700 Waveform
T
A
= 25°C, V
GG
= -50 V
THYRISTOR
V
GG
- V
(BO)
DIODE
V
FRM
TC61AD
DIODE FORWARD CURRENT
vs
FORWARD VOLTAGE
V
F
- Forward Voltage - V
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
F
0.02
0.04
0.07
0.2
0.4
0.7
0.01
0.1
1
-40°C
25°C
85°C
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TISPPBL2SE 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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