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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F400BV-T80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RP40 (G) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 40 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Design Meet Safety Standard; Standard 50.8 x50.8x10.2mm Package; Efficiency to 90% |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 31/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | TE28F400BV-T80 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
31
PRELIMINARY
Table 10. DC Characteristics
(Continued)
Sym
Parameter
Notes
V
CC
= 2.7V
–3.6V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
PPW
V
PP
Program Current
1,4
15
40
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Program in Progress
10
25
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Program in Progress
I
PPE
V
PP
Erase Current
1,4
13
25
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Erase in Progress
8
25
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
1,4
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase Suspend in Progress
I
PPWS
V
PP
Program Suspend
Current
1,4
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program Suspend in Progress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F160B3B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3BC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F400B3B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F400BX-B80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F400BX-B90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| TE28F400BX-T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F400BX-T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| TE28F400CEB120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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