- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄196382 > TD200F12KEC 410 A, 1200 V, SCR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TD200F12KEC |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 410 A, 1200 V, SCR |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | TD200F12KEC |
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
800 1000 1100 1200
1300
V
Vorwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM
Rückwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
410
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
200
A
tc = 68°C
261
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
7200
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
6400
A
Grenzlastintegral
∫
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫
I2 t
260000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
205000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current VD≤67%VDRM, f0=50Hz
(diT/dt)cr
200 A/s
IGM=1A, diG/dt=1A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 67% VDRM
(dvD/dt)cr
1) 2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500 500 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000 500 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 700 A
vT
max. 1,8
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,2
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,75
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2,2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,2
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse
tvj = tvj max
iD, iR
max. 50
mA
currents
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj = 25°C, iGM =1 A, diG/dt =1 A/s
tgd
max. 1,2
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
tq, S:
max. 18
s
E:
max. 20
s
F:
max. 25
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module RthJC
max. 0,065 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,13 °C/W
DC: pro Modul/per module
max. 0,062 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,124 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
max. 0,02 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,04 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente
tightening torques
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
6
Nm
elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 800
g
Kriechstrecke
creepage distance
17
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 9,81
m/s
Mabild
outline
8
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V RRM ≤ 1000 V und DD 241 S bei VRRM ≥ 1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V RRM ≤ 1000 V and DD 241 S at VRRM ≥ 1200 V
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F can also be supplied with common anode or common cathode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TD200F12KEL | 410 A, 1200 V, SCR |
| TD200F13KEC | 410 A, 1300 V, SCR |
| TD200F13KEL | 410 A, 1300 V, SCR |
| TD200F08KEC | 410 A, 800 V, SCR |
| TD200F08KEL | 410 A, 800 V, SCR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TD200F12KFC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD200F12KSC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD20100XXX | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Trantalum Chip Capacitors Sintered Anode, Solid Semiconductor Electrolyte, +125∩ |
| TD202R2 | 制造商:BLACK BOX 功能描述:ETHERNET AND TOKEN RING BOOKS |
| TD203 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TD203 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。