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參數(shù)資料
| 型號： | TD200F10KSB-K |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 410 A, 1000 V, SCR |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | TD200F10KSB-K |
TT 200 F
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn[°C/W]
τn [s]
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
Σ
n=1
ZthJC =
Rthn (1-e )
t
- τn
[°C/W]
ZthJC
t [s]
10-3 2
4 6 810-2
2
4 6 8100 2
4 6 8101 2
4 6 8102
2
4 6 810-1
0,16
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0
DC
120°
180°
=180°
=60°
Θ
Bild / Fig. 18
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig Z(th)JC.
Transient thermal impedance per arm Z(th)JC, junction to case.
TT 200 F1/17
0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
0,0009
0,008
0,11
0,61
3,06
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TD200F11KSB-A | 410 A, 1100 V, SCR |
| TD200F11KSB-K | 410 A, 1100 V, SCR |
| TD200F12KSB-A | 410 A, 1200 V, SCR |
| TD200F12KSB-K | 410 A, 1200 V, SCR |
| TT200F08KFM-A | 410 A, 800 V, SCR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TD200F10KSC | 功能描述:分立半導體模塊 1000V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD200F12KEC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD200F12KFC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD200F12KSC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TD20100XXX | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Trantalum Chip Capacitors Sintered Anode, Solid Semiconductor Electrolyte, +125∩ |
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