參數(shù)資料
型號: TD180F13KEM-K
元件分類: 晶閘管
英文描述: 350 A, 1300 V, SCR
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 231K
代理商: TD180F13KEM-K
TT 180 F
4
2
8
6
2
4
8
[A]
4 0 60
100
200
400 600
1
2
4
6
10
s
ms
tp
T 195 F4/14
T 318 F4/14
W tot =
mWs
1
2
4
10
20
40
60
0,1 Ws
0,2
0,4
0,6
6 Ws
20 Ws
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy Wtot for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
RC-Glied/RC network:
R
[] ≥≥ 0,02 . vDM [V]
C
≤≤
0,22F
Steuergenerator/Pulse generator:
iG = 1 A, ta = 1s
Lastkreis/load circuit:
vDM
0,67 VDRM
vRM
50 V
dvR/dt ≤ 100 V/s
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
10k
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
[A]
iT
t [s]
PTT + PT =
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (PTT + PT) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (PTT + PT).
T 195 F3/13
T 318 F3/13
20 W
40 W
60 W
100 W
200 W
400 W
600 W
1 kW
2 kW
4 kW
6 kW
10 kW
20 kW
40 kW
60 kW
104
TM
i
10 3
10 2
R
C
tp
t
iTM
i T
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
20
15
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
[V]
vG
0,8
8
T 670 F21/15
a
b
c
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei vD = 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at vD = 6V.
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration tg
[ms]
10
1
0,5
___________________________________________________________
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
___________________________________________________________
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
a
b
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time tgd,
DIN 41787, ta = 1 s, tvj = 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
T 195 F17/16
T 290 F17/16
100
60
20
[s]
tgd
0
200
150
100
50
[As]
Qr
- diT/dt [A/s]
20 A
50 A
100 A
iTM = 1000 A
200
400
600
800
1000
TT 180 F 08...13
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlastrom ITM /
Recovert charge Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: on-state current ITM
200 A
500 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TD180F10KEB 350 A, 1000 V, SCR
TD180F11KEB 350 A, 1100 V, SCR
TD180F12KEB 350 A, 1200 V, SCR
TD180F13KEB 350 A, 1300 V, SCR
TD180F08KEB 350 A, 800 V, SCR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TD180F13KFL 功能描述:SCR模塊 Center-Tapped RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TD180F13KSC 功能描述:分立半導體模塊 1300V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TD180N16KOF 功能描述:SCR模塊 1.6KV 4.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TD-1814-3003 制造商:Leach International Corporation 功能描述:TIME DELAY - Bulk
TD-1836-5001 制造商:Leach International Corporation 功能描述:MDC AIR LINE - Bulk