參數(shù)資料
型號： TD180F11KEB
元件分類： 晶閘管
英文描述： 350 A, 1100 V, SCR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： TD180F11KEB
TT 180 F, TD 180 F, DT
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
800 1000 1100 1200
1300
V
Vorwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM
Rückwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
350
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
101
A
tc = 73°C
223
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
6700
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
6000
A
Grenzlastintegral
∫
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫
I2 t
224000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
180000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current VD≤67%VDRM, f0=50Hz
(diT/dt)cr
200 A/s
IGM=1A, diG/dt=1A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 67% VDRM
(dvD/dt)cr
1) 2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500 500 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000 500 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 600 A
vT
max. 1,9
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,3
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,9
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2,2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse
tvj = tvj max
iD, iR
max. 50
mA
currents
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj = 25°C, iGM =1 A, diG/dt =1 A/s
tgd
max. 1,2
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
tq, S:
max. 18
s
E:
max. 20
s
F:
max. 25
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module RthJC
max. 0,065 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,13 °C/W
DC: pro Modul/per module
max. 0,062 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,124 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
max. 0,02 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,04 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente
tightening torques
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
6
Nm
elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 800
g
Kriechstrecke
creepage distance
17
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 9,81
m/s
Mabild
outline
8
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V RRM ≤ 1000 V und DD 241 S bei VRRM ≥ 1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V RRM ≤ 1000 V and DD 241 S at VRRM ≥ 1200 V
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F can also be supplied with common anode or common cathode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TD180F12KEB 350 A, 1200 V, SCR
TD180F13KEB 350 A, 1300 V, SCR
TD180F08KEB 350 A, 800 V, SCR
TD180F08KFL-K 350 A, 800 V, SCR
TD180F12KEC-A 350 A, 1200 V, SCR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TD180F12KEC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TD180F12KFC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TD180F12KSC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TD180F13KFL 功能描述:SCR模塊 Center-Tapped RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TD180F13KSC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1300V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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