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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TC59S6408BFTL-10 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 2M Word x 4 Banks x 8 Bits Synchronous Dynamic RAM(2M 字 x 4組 x 8 位 同步動(dòng)態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 200萬字× 4銀行× 8位同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（200萬字× 4組× 8位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 10/51頁 |
| 文件大小： | 2591K |
| 代理商： | TC59S6408BFTL-10 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC59S6416BFTL-10 | 1M Word x 4 Banks x 16 Bits Synchronous Dynamic RAM(1M 字 x 4組 x 16 位 同步動(dòng)態(tài) RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC59S6408BFTL-80 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
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| TC59S6416-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
| TC59S6416-80 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
| TC59S6416BFT | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
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