參數(shù)資料
型號： TC58FVB160-10
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 16M Bit (1M×16 Bit/2M×8 Bit) CMOS Flash Memory(16M位 CMOS閃速存儲器)
中文描述： 1,600位（100萬× 16 Bit/2M × 8位）的CMOS閃存（1,600位的CMOS閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 24/30頁
文件大小： 1522K
代理商： TC58FVB160-10
相關PDF資料
PDF描述
TC58FVB160-12 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM)
TC58FVB160-85 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM)
TC58V16BDC 16M Bit(2M x 8 Bit) CMOS NAND EEPROM(16M 位(2M x 8位) CMOS 與非 EEPROM)
TC58V16BFT 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM)
TC59S6408BFT-80 2M Word x 4 Banks x 8 Bits Synchronous Dynamic RAM(2M 字 x 4組 x 8 位 同步動態(tài) RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TC58FVB160A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC58FVB160AF 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:16-MBIT (2M x 8 BITS / 1M x 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB160AFT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:16-MBIT (2M x 8 BITS / 1M x 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB160AFT-10 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC58FVB160AFT-70 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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