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參數(shù)資料
| 型號： | TC55VEM208ASTN40 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 東芝馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | TC55VEM208ASTN40 |
TC55VEM208ASTN40,55
2002-08-07 6/11
AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
TEST CONDITION
Input pulse level
0.2 V, V
DD
×
0.7 V
+
0.2 V
t
R
, t
F
1V / ns(Fig.1)
Timing measurements
V
DD
×
0.5
Reference level
V
DD
×
0.5
Output load
30 pF
+
1 TTL Gate(Fig.2)
Fig.1 : Input rise and fall time
Fig.2 : Output load
Dout
30 pF
R2
V
TM
R1
R1
=
810
R2
=
1610
V
TM
=
2.3 V
GND
90%
1 V/ns
t
R
10%
90%
10%
t
F
V
DD
Typ
1 V/ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC55VEM208ASTN55 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VL818FF-75 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC55VL818FF-83 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC58128DC | 128M Bit (16M×8Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M×8位 CMOS與非EEPROM) |
| TC58128FTI | 128M Bit (16M×8Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M×8位 CMOS與非EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC55VEM208ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM208ASTN55LA | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC55VEM316AXBN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM316AXBN40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM316AXBN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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