參數(shù)資料
型號(hào)： T40HFL40S10
廠商： International Rectifier
英文描述： FAST RECOVERY DIODES
中文描述： 快速恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： T40HFL40S10
T..HFL Series
9
Bulletin I27107 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 28 - Recovery Time Characteristics
Fig. 29 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 30 - Recovery Current Characteristics
Fig. 31 - Recovery Time Characteristics
Fig. 32 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 33 - Recovery Current Characteristics
Fig. 34 - Recovery Time Characteristics
Fig. 35 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 36 - Recovery Current Characteristics
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
200A
100A
50A
M
Rate Of Fall Of Forwa rd C urrent - di/dt (A/
μs)
T85HFL..S02
T = 125
°C
I = 300A
5
10
15
20
25
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
200A
100A
50A
M
μ
Ra te Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
T85HFL..S02
T = 125
°C
I = 300A
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
10
100
100A
50A
200A
M
μ
Rate Of Fall Of Forwa rd C urrent - di/dt (A/
μs)
T85HFL..S02
T = 125
°C
FM
10
15
20
25
30
35
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
100A
50A
200A
M
Rate Of Fall O f Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
T85HFL..S05
T = 125
°C
I = 300A
6
9
12
15
18
21
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30
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
200A
M
μ
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
T85HFL..S05
T = 125
°C
100A
50A
I = 300A
0.8
0.9
1
1.1
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50A
200A
M
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Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 300A
T85HFL..S05
T = 125
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I = 300A
T85HFL..S10
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Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
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Ra te Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
100A
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T85HFL..S10
T = 125
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I = 300A
1
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Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
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T85HFL..S10
T = 125
°C
I = 300A
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PDF描述
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T40HFL60S05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (T-Modules), 40 A/70 A/85 A
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