參數(shù)資料
型號： SUD50N03-07AP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： SUD50N03-07AP
SUD50N02-06
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71136
S-01665—Rev. B, 31-Jul-00
www.vishay.com
2-1
N-Channel 20-V (D-S), 175 C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
a, b
20
0.006 @ V
GS
= 4.5 V
30
0.009 @ V
GS
= 2.5 V
25
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Order Number:
SUD50N02-06
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
a, b
T
A
= 25 C
I
D
30
A
T
A
= 100 C
21
Pulsed Drain Current
I
DM
100
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
S
30
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 C
P
D
100
W
T
A
= 25 C
8.3
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec.
R
thJA
15
18
C/W
Steady State
40
50
Maximum Junction-to-Case
R
thJC
1.2
1.5
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board
t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUD50N03-10BP Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUD50N03-10P Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUP75N06-06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
SUB75N06-06 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUPB12 Interface IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUD50N03-07AP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK
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SUD50N03-07-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N03-07-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SUD50N03-07-T4 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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