型號: | SUB75N06-06 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
中文描述: | 250 的低電流運算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 238K |
代理商: | SUB75N06-06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SUPB12 | Interface IC |
SUPB13 | Interface IC |
SUPB14 | Interface IC |
SUPB15 | Interface IC |
SUPB16 | Interface IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SUB75N06-07L | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75N06-08 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75N06-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
SUB75N06-08-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |