型號: | STU6NA60 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 6.8AI(四)|對220VAR |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 183K |
代理商: | STU6NA60 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STU7NA60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR |
STV0020 | TV/Video Signal Processor |
STV0030 | TV/Video Signal Processor |
STV0705 | General-Purpose Photodiode Array |
STV12N20 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STU6NA90 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
STU6NF10 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.22ohms 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STU70N2LH5 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STU75N3LLH6 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STU75N3LLH6-S | 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 0.0042 ohm 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |