參數(shù)資料
型號(hào)： STU6N60
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 6.8AI（四）|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： STU6N60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU6NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU7NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR
STV0020 TV/Video Signal Processor
STV0030 TV/Video Signal Processor
STV0705 General-Purpose Photodiode Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU6N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET
STU6N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU6N65K3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF N CH 650V 5.4A IPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650V, 1.1?, 5.4A Power MOSFET
STU6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
STU6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 封裝/外殼:TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
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