參數(shù)資料
型號(hào)： STTH2R02U
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： STTH2R02U
Characteristics
STTH2R02
2/9
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.68 x IF(AV) + 0.06 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at Tj = 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
IFRM
Repetitive peak forward current
DO-15(1)
tp = 5 s, F = 5 kHz
60
A
SMA, SMB
IF(RMS)
RMS forward current
DO-15
60
A
SMA, SMB
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
DO-15
Tlead = 90° C
2A
SMA, SMB Tc = 90° C
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
75
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
° C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
° C
1.
On infinite heatsink with 10 mm lead length
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to lead
Lead Length = 10 mm on infinite heatsink DO-15
45
° C/W
Junction to case
SMA, SMB
30
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
3
A
Tj = 125° C
2
20
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 6 A
1.20
V
Tj = 25° C
IF = 2 A
0.89
1.0
Tj = 100° C
0.76
0.85
Tj = 150° C
0.70
0.80
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH2R02QRL 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
STTH310RL 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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STTH310 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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參數(shù)描述
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