型號(hào): | STS8DNF30L |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| N溝道| 30V的五(巴西)直| 8A條(?。﹟蘇 |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大小: | 188K |
代理商: | STS8DNF30L |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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STS8DNF3LL_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.017OHM - 8A SO-8 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET |
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STS8DNH3LL_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET |
STS8N6LF6AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |